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CSD16323Q3C
| Artikelnummer: | CSD16323Q3C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | N/A |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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CSD16323Q3C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD16323Q3C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Vgs (Max) +10V, -8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SON-EP (3x3) Serie NexFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 24A, 8V Verlustleistung (max) 3W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 60A (Tc) Grundproduktnummer CSD16323 CSD16323Q3C Einzelheiten PDF [English] CSD16323Q3C PDF - EN.pdf -
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